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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥370.28496
10
¥349.325433
100
¥329.552294
500
¥310.898389
1000
¥293.30037
Microchip Technology 2N3439UA/TR
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- 对比
2N3439UA/TR
1610-2N3439UA/TR
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
4-SMD, No Lead
大陆
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TRANS NPN 350V 1A
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2N3439UA/TR详情
Microchip Technology 2N3439UA/TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
供应商器件包装
-
厂商
微芯片技术
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
1 A
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
350 V
RoHS
N
DC Current Gain hFE Max
160 at 20 mA, 10 V
Maximum DC Collector Current
1 A
Brand
微芯片技术
Manufacturer
Microchip
Mounting Styles
SMD/SMT
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Collector-Emitter Saturation Voltage
500 mV
DC Collector/Base Gain hfe Min
10 at 200mA, 10 V
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Transistor Polarity
NPN
Pd - Power Dissipation
800 mW
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
系列
-
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
包装
Reel
子类别
Transistors
技术
Si
配置
Single
功率 - 最大
800 mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
最大集极截止电流
2μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 4mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
350 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
450 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
2N3439UA/TR拓展信息
Microchip Technology
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