Microchip Technology 2N3439UA/TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

供应商器件包装

-

厂商

微芯片技术

Package

Tape & Reel (TR)

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

350 V

RoHS

N

DC Current Gain hFE Max

160 at 20 mA, 10 V

Maximum DC Collector Current

1 A

Brand

微芯片技术

Manufacturer

Microchip

Mounting Styles

SMD/SMT

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

DC Collector/Base Gain hfe Min

10 at 200mA, 10 V

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Transistor Polarity

NPN

Pd - Power Dissipation

800 mW

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

系列

-

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

包装

Reel

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

800 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

最大集极截止电流

2μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 4mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

350 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

450 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT