Microchip Technology 2N3440L

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-39-3

安装类型

通孔

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-5

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N3440

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

250 V

Number of Elements

1

Package Description

TO-5, 3 PIN

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N3440L

Turn-on Time-Max (ton)

1000 ns

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

10000 ns

Risk Rank

5.05

Part Package Code

TO-5

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

800 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

800 mW

功率 - 最大

800 mW

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

500 mV

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

最大集极截止电流

2µA

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 4mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

250 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

300 V

发射极基极电压 (VEBO)

7 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

250 V