Microchip Technology 2N3735

包装/外壳

TO-39-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

NPN

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

40 V

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

900 mV

Maximum DC Collector Current

1.5 A

Pd - Power Dissipation

1 W

Gain Bandwidth Product fT

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.184589 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1.5 A

Base Product Number

2N3735

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N3735

Turn-on Time-Max (ton)

48 ns

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

60 ns

Risk Rank

5.07

Part Package Code

TO-39

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

Single

功率耗散

2.9

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 1A, 1.5V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-205AD

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

900mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

集电极电流-最大值(IC)

1.5 A

最小直流增益（hFE）

20

连续集电极电流

1.5

集电极-发射器电压-最大值

40 V