Microchip Technology 2N3763U4

包装/外壳

TO-39-3

安装类型

通孔

表面安装

YES

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

PNP

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

900 mV

Maximum DC Collector Current

1.5 A

Pd - Power Dissipation

500 mW

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

20

DC Current Gain hFE Max

80

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1.5 A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CHIP CARRIER, R-XBCC-N3

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N3763U4

Turn-on Time-Max (ton)

43 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

115 ns

Risk Rank

5.72

包装

Tray

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-XBCC-N3

配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 1A, 1.5V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

900mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

集电极电流-最大值(IC)

1.5 A

最小直流增益（hFE）

20

连续集电极电流

1.5 A

集电极-发射器电压-最大值

60 V