Microchip Technology 2N3821重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
参数名
参数值
参数名
参数值
包装/外壳
TO-72
安装类型
通孔
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-72
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
N
Mounting Styles
通孔
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Package
Bulk
Base Product Number
2N3821
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Description
TO-206AF, 4 PIN
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
2N3821
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.15
Part Package Code
BCY
包装
Bulk
操作温度
-55°C ~ 200°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/375
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
类型
JFET
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
O-MBCY-W4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
功率 - 最大
300 mW
场效应管类型
N-Channel
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6pF @ 15V
漏源电压 (Vdss)
50 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-72
DS 击穿电压-最小值
50 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.3 W
反馈上限-最大值 (Crss)
3 pF
最高频段
甚高频段
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
2.5 mA @ 15 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
4 V @ 0.5 nA
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
50 V