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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥444.000544
10
¥418.868439
100
¥395.158904
500
¥372.791415
1000
¥351.690018
Microchip Technology 2N3838/TR
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- 对比
2N3838/TR
1610-2N3838/TR
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-FlatPack
大陆
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TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2N3838/TR详情
Microchip Technology 2N3838/TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-FlatPack
供应商器件包装
6-Flatpack
厂商
微芯片技术
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
600mA
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Pd - Power Dissipation
350 mW
Transistor Polarity
NPN, PNP
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
35 at 100 uA, 10 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
400 mV
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
SMD/SMT
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
Maximum DC Collector Current
600 mA
DC Current Gain hFE Max
300 at 150 mA, 10 V
RoHS
N
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
40 V
系列
-
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
包装
Reel
子类别
Transistors
技术
Si
配置
Dual
功率 - 最大
350mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN, PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
最大集极截止电流
10μA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 15mA, 150mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
40V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
60 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
2N3838/TR拓展信息
Microchip Technology
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