Microchip Technology 2N3868

包装/外壳

TO-5-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-5

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

PNP

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Emitter- Base Voltage VEBO

4 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

Maximum DC Collector Current

3 mA

Pd - Power Dissipation

1 W

Gain Bandwidth Product fT

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

30 at 1.5 A, 2 VDC

DC Current Gain hFE Max

150 at 1.5 A, 2 VDC

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.652216 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

3 mA

Base Product Number

2N3868

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

TO-5, 3 PIN

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

60 MHz

Manufacturer Part Number

2N3868

Turn-on Time-Max (ton)

100 ns

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

600 ns

Risk Rank

1.46

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

Single

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 1.5A, 2V

最大集极截止电流

100µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 250mA, 2.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

最大耗散功率(Abs)

1 W

集电极电流-最大值(IC)

3 A

最小直流增益（hFE）

20

连续集电极电流

3

集电极-发射器电压-最大值

60 V