Microchip Technology 2N4150

包装/外壳

TO-5-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-5AA

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

NPN

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

70 V

Emitter- Base Voltage VEBO

10 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

600 mV

Maximum DC Collector Current

10 A

Pd - Power Dissipation

1 W

Gain Bandwidth Product fT

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

50 at 1 A, 5 VDC

DC Current Gain hFE Max

200 at 1 A, 5 VDC

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.164906 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

10 A

Base Product Number

2N4150

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

配置

Single

功率 - 最大

1 W

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 1A, 5V

最大集极截止电流

10µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 1A, 10A

电压 - 集射极击穿（最大值）

70 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V