Microchip Technology 2N4240

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-66

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

NPN

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

300 V

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Maximum DC Collector Current

2 A

Pd - Power Dissipation

35 W

Gain Bandwidth Product fT

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

2 A

Base Product Number

2N4240

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

15 MHz

Manufacturer Part Number

2N4240

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.76

Part Package Code

TO-66

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

Single

功率 - 最大

35 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 750mA, 10V

最大集极截止电流

5mA

JEDEC-95代码

TO-66

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 75mA, 750mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

500 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

500 V

最大耗散功率(Abs)

35 W

集电极电流-最大值(IC)

2 A

最小直流增益（hFE）

30

集电极-发射器电压-最大值

300 V