Microchip Technology 2N4900

包装/外壳

TO-66-2

表面安装

NO

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

PNP

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.3 V

Maximum DC Collector Current

1 A

Pd - Power Dissipation

25 W

Gain Bandwidth Product fT

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

20

DC Current Gain hFE Max

100

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Base Product Number

2N4900

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N4900

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.12

包装

Tray

系列

*

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

Single

极性/通道类型

PNP

JEDEC-95代码

TO-66

集电极基极电压(VCBO)

80 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

20

连续集电极电流

1

集电极-发射器电压-最大值

80 V