参数名
参数值
参数名
参数值
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
N
Mounting Styles
Stud Mount
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5.5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum DC Collector Current
5 A
Pd - Power Dissipation
2 W
Gain Bandwidth Product fT
-
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Unit Weight
0.227247 oz
Package
Bulk
Base Product Number
2N5002
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Description
HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3
Package Style
POST/STUD MOUNT
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
60 MHz
Manufacturer Part Number
2N5002
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.11
包装
Tray
系列
*
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MUPM-X3
资历状况
不合格
配置
Single
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
JEDEC-95代码
TO-59
集电极基极电压(VCBO)
100 V
最大耗散功率(Abs)
58 W
集电极电流-最大值(IC)
5 A
最小直流增益(hFE)
20
集电极-发射器电压-最大值
80 V