Microchip Technology 2N5115E3

包装/外壳

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-18 (TO-206AA)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Product Status

活跃

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30 V

Pd - Power Dissipation

500 mW

Transistor Polarity

P-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Drain-Source Current at Vgs=0

- 15 mA to - 60 mA

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Rds On - Drain-Source Resistance

100 Ohms

Maximum Drain Gate Voltage

30 V

RoHS

Details

Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage

30 V

Gate-Source Cutoff Voltage

3 V to 6 V

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2N5115E3

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.07

Part Package Code

BCY

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

功率 - 最大

500 mW

场效应管类型

P-Channel

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

25pF @ 15V

漏源电压 (Vdss)

30 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

产品类别

JFETs

JEDEC-95代码

TO-206AA

漏极-源极导通最大电阻

100 Ω

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

JUNCTION

反馈上限-最大值 (Crss)

7 pF

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

15 mA @ 15 V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

3 V @ 1 nA

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

30 V

电阻-RDS(On)

100 Ohms

产品类别

JFET