Microchip Technology 2N5415S

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-205AD-3

安装类型

通孔

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

PNP

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

200 V

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

Maximum DC Collector Current

1 A

Pd - Power Dissipation

750 mW

Gain Bandwidth Product fT

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

30 at 50mA, 10 V

DC Current Gain hFE Max

120 at 50 mA, 10 V

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Emitter-Base Voltage

6(V)

Package Type

TO-39

Collector-Base Voltage

200(V)

Category

双极电源

Operating Temp Range

-65C to 200C

Collector Current (DC)

1(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

DC Current Gain

30

Mounting

通孔

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N5415

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N5415S

Turn-on Time-Max (ton)

1000 ns

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

10000 ns

Risk Rank

1.63

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

750 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

PNP

配置

Single

功率耗散

0.75(W)

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

750 mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

200 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

最大集极截止电流

1mA

JEDEC-95代码

TO-39

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

200 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

200 V

最大耗散功率(Abs)

10 W

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

30

集电极-发射器电压-最大值

200 V