Microchip Technology 2N5539

安装类型

Stud Mount

包装/外壳

TO-211MB, TO-63-4, Stud

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-63

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

微芯片技术

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

20 A

Transistor Polarity

NPN

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Package Style

POST/STUD MOUNT

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Max

175 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

30 MHz

Manufacturer Part Number

2N5539

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

API TECHNOLOGIES CORP

Risk Rank

5.25

系列

-

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

ECCN 代码

EAR99

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

UPPER

终端形式

SOLDER LUG

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-MUPM-D3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

175 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

-

最大集极截止电流

-

JEDEC-95代码

TO-63

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

800mV @ 1.5mA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

130 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

100 W

集电极电流-最大值(IC)

20 A

最小直流增益（hFE）

25

集电极-发射器电压-最大值

130 V

VCEsat-最大值

0.8 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT