Microchip Technology 2N6990

包装/外壳

TO-116-14

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

14-Flatpack

终端数量

14

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

NPN

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Maximum DC Collector Current

800 mA

Pd - Power Dissipation

1.5 W

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

75 at 1mA, 10 VDC

DC Current Gain hFE Max

325 at 1 mA, 10 VDC

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.014110 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

800mA

Base Product Number

2N699

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

FP-14

Package Style

FLATPACK

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N6990

Turn-on Time-Max (ton)

35 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

4

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

300 ns

Risk Rank

5.16

Part Package Code

DFP

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

14

JESD-30代码

R-CDFP-F14

资历状况

不合格

配置

Quad

功率 - 最大

400mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

4 NPN (Quad)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

最大耗散功率(Abs)

0.4 W

集电极电流-最大值(IC)

0.8 A

最小直流增益（hFE）

100

连续集电极电流

800

集电极-发射器电压-最大值

50 V