Microchip Technology ATSAMR21G18A-MU

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-VFQFN Exposed Pad

引脚数

48

Memory Types

FLASH

Number of I/Os

28

Watchdog Timers

有

操作温度

-40°C~85°C

包装

Tray

系列

SMART™ SAM R21

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

48

类型

TxRx + MCU

电压 - 供电

1.8V~3.6V

端子位置

QUAD

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

端子间距

0.5mm

频率

2.4GHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

ATSAMR21G

界面

I2C, SPI, UART, USART, USB

内存大小

256kB Flash 32kB SRAM

内存大小

32kB

位元大小

32

有ADC

YES

DMA 通道

YES

数据总线宽度

32b

脉宽调制通道

YES

数模转换器通道

NO

定时器/计数器的数量

6

核心架构

ARM

片上程序 ROM 宽度

8

处理器系列

CORTEX-M0

低功率模式

YES

格式

固定点

功率 - 输出

4dBm

集成缓存

YES

无线电频率系列/标准

General ISM > 1GHZ

内存(字)

32000

数据率（最大）

250kbps

串行接口

I2C, SPI, UART, USART, USB

接收电流

11.3mA~11.8mA

传输电流

7.2mA~13.8mA

串行I/O数

5

调制

O-QPSK

外部中断数量

15

灵敏度(dBm)

-99 dBm

片上数据 RAM 宽度

8

DMA通道数

12

长度

7mm

座位高度(最大)

1mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅