Microchip Technology DLTS-8C

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

16-CDIP (0.300", 7.62mm)

底架

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

16-CDIP

二极管元件材料

SILICON

终端数量

16

厂商

微芯片技术

Package

Tube

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Cd - Diode Capacitance

440 pF

Breakdown Voltage / V

8.5 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Ipp - Peak Pulse Current

10 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

500 W

Reverse Stand-off Voltage

8 V

Package Description

R-CDIP-T16

Package Style

IN-LINE

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

DLTS8C

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

15

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE

Risk Rank

5.91

Part Package Code

DIP

系列

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TA)

包装

Tray

JESD-609代码

e0

类型

Zener

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

16

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-CDIP-T16

资历状况

不合格

工作电压

8 V

极性

双向

配置

COMMON ANODE, 15 ELEMENTS

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

8.5V

功率 - 脉冲峰值

500W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

10A (8/20μs)

最大反向漏电电流

10 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

16.6V

箝位电压

16.6 V

电压 - 反向断态（典型值）

8V

峰值脉冲电流

10 A

峰值脉冲功率

500 W

方向

双向

测试电流

1 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

15

Rep Pk反向电压-最大值

8 V

电容@频率

440pF @ 1MHz (Max)

最大非代表峰值转速功率Dis

500 W

击穿电压-最小值

8.5 V

最小击穿电压

8.5 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

辐射硬化

无