Microchip Technology JANS2N3421S

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

厂商

微芯片技术

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

3 A

Emitter- Base Voltage VEBO

8 V

Pd - Power Dissipation

5 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

DC Current Gain hFE Max

120 at 1 A, 2 V

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Package Description

,

Manufacturer Part Number

JANS2N3421S

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VPT组件

Risk Rank

5.76

系列

Military, MIL-PRF-19500/393

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

子类别

Transistors

技术

Si

Reach合规守则

compliant

配置

Single

功率 - 最大

1 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 1A, 2V

最大集极截止电流

5μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 200mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

125 V

连续集电极电流

3 A

产品类别

Bipolar Transistors - BJT