Microchip Technology JANSF2N5154U3/TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

供应商器件包装

U3

厂商

微芯片技术

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

2 A

Emitter- Base Voltage VEBO

5.5 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

70 at 2.5 A, 5V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

DC Current Gain hFE Max

200 at 2.5 A, 5V

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

系列

Military, MIL-PRF-19500/544

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

1 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 2.5A, 5V

最大集极截止电流

50μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

连续集电极电流

2 A

产品类别

Bipolar Transistors - BJT