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'jansp2n3501'

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category.单相BJT晶体管 (4)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	安装类型	包装/外壳	供应商器件包装			Collector-Emitter Saturation Voltage										厂商												操作温度	包装	系列	子类别	技术	Reach合规守则	配置	功率 - 最大	产品类别	晶体管类型	最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce	最大集极截止电流	不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）	电压 - 集射极击穿（最大值）	频率转换	集电极基极电压(VCBO)	连续集电极电流	产品类别
		JANSP2N3501	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		通孔	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	TO-39 (TO-205AD)	微芯片技术	N	Bulk	活跃		300 mA	1	Microchip	Microchip / Microsemi	-65°C ~ 200°C (TJ)		Military, MIL-PRF-19500/366					1 W	NPN	100 @ 150mA, 10V	10μA (ICBO)	400mV @ 15mA, 150mA	150 V	-			微芯片技术
		JANSP2N3501L	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		通孔	TO-205AA, TO-5-3 Metal Can	TO-5AA	微芯片技术	N	Bulk	活跃		300 mA	1	Microchip	Microchip / Microsemi	-65°C ~ 200°C (TJ)		Military, MIL-PRF-19500/366					1 W	NPN	100 @ 150mA, 10V	10μA (ICBO)	400mV @ 15mA, 150mA	150 V	-			微芯片技术
		JANSP2N3501UB	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		SMD-4	400 mV	+ 200 C	1.5	- 65 C	1	SMD/SMT	Microchip	微芯片技术	Microchip / Microsemi	8	N	150 V			Bulk	活跃	6 V	500 mW	NPN			-	Transistors	Si		Single		BJTs - Bipolar Transistors							150 V	300 mA	Bipolar Transistors - BJT
		JANSP2N3501UB/TR	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	3-SMD, No Lead	UB	无	JANSP2N3501UB/TR	活跃	微芯片技术	MICROSEMI CORP	5.85	Tape & Reel (TR)	活跃		300 mA	1	Microchip	Microchip / Microsemi	N	,	-65°C ~ 200°C (TJ)	Bulk	Military, MIL-PRF-19500/366	Transistors		compliant		500 mW	BJTs - Bipolar Transistors	NPN	100 @ 150mA, 10V	10μA (ICBO)	400mV @ 15mA, 150mA	150 V	-			Bipolar Transistors - BJT