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'jansp2n3501ub'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

供应商器件包装

Collector-Emitter Saturation Voltage

厂商

操作温度

包装

系列

子类别

技术

Reach合规守则

配置

功率 - 最大

产品类别

晶体管类型

最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

最大集极截止电流

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

电压 - 集射极击穿(最大值)

频率转换

集电极基极电压(VCBO)

连续集电极电流

产品类别

JANSP2N3501UB
JANSP2N3501UB
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SMD-4

400 mV

+ 200 C

1.5

- 65 C

1

SMD/SMT

Microchip

微芯片技术

Microchip / Microsemi

8

N

150 V

Bulk

活跃

6 V

500 mW

NPN

-

Transistors

Si

Single

BJTs - Bipolar Transistors

150 V

300 mA

Bipolar Transistors - BJT

JANSP2N3501UB/TR
JANSP2N3501UB/TR
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

3-SMD, No Lead

UB

无

JANSP2N3501UB/TR

活跃

微芯片技术

MICROSEMI CORP

5.85

Tape & Reel (TR)

活跃

300 mA

1

Microchip

Microchip / Microsemi

N

,

-65°C ~ 200°C (TJ)

Bulk

Military, MIL-PRF-19500/366

Transistors

compliant

500 mW

BJTs - Bipolar Transistors

NPN

100 @ 150mA, 10V

10μA (ICBO)

400mV @ 15mA, 150mA

150 V

-

Bipolar Transistors - BJT