对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 安装类型 | 包装/外壳 | 供应商器件包装 | Collector-Emitter Saturation Voltage | 厂商 | 操作温度 | 系列 | 子类别 | 技术 | 配置 | 功率 - 最大 | 产品类别 | 晶体管类型 | 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce | 最大集极截止电流 | 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值) | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 频率转换 | 集电极基极电压(VCBO) | 产品类别 | |||||||||||||||||
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JANSR2N2369AUB/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 3-SMD, No Lead | UB | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 2N2369A | 200 mV | 4.5 V | 360 mW | NPN | + 200 C | 20 at 100mA, 1 V | - 65 C | 1 | 微芯片技术 | SMD/SMT | Microchip | Microchip / Microsemi | 100 mA | 120 at 100 mA, 1 V | N | 15 V | -65°C ~ 200°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500/317 | Transistors | Si | Single | 360 mW | BJTs - Bipolar Transistors | NPN | 20 @ 100mA, 1V | 400nA | 450mV @ 10mA, 100mA | 15 V | - | 40 V | Bipolar Transistors - BJT |


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