Microchip Technology JANSR2N2369AUB/TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

供应商器件包装

UB

厂商

微芯片技术

Package

Tape & Reel (TR)

Product Status

活跃

Base Product Number

2N2369A

Emitter- Base Voltage VEBO

4.5 V

Pd - Power Dissipation

360 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

20 at 100mA, 1 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

200 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

100 mA

DC Current Gain hFE Max

120 at 100 mA, 1 V

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

15 V

系列

Military, MIL-PRF-19500/317

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

360 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 100mA, 1V

最大集极截止电流

400nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

450mV @ 10mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

15 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

40 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT