Microchip Technology JANTX2N2605

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AB, TO-46-3 Metal Can

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-46 (TO-206AB)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

微芯片技术

Base Product Number

2N2605

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

30 mA

Transistor Polarity

PNP

Emitter-Base Voltage

6(V)

Package Type

TO-46

Collector-Base Voltage

70(V)

Category

双极小信号

Operating Temp Range

-65C to 200C

Collector Current (DC)

0.03(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Mounting

通孔

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

400 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

30 mA

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTX2N2605

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.66

Part Package Code

BCY

系列

Military, MIL-PRF-19500/354

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

包装

Bag

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/354

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

Single

功率耗散

0.4(W)

箱体转运

COLLECTOR

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

400 mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

最大集极截止电流

10nA

JEDEC-95代码

TO-206AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500μA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

70 V

集电极电流-最大值(IC)

0.03 A

最小直流增益（hFE）

100

连续集电极电流

30

集电极-发射器电压-最大值

60 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT