参数名
参数值
参数名
参数值
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
包装/外壳
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
安装类型
通孔
触点镀层
Lead, Tin
底架
通孔
引脚数
3
供应商器件包装
TO-18 (TO-206AA)
Current-Collector (Ic) (Max)
500 mA
Product Status
活跃
Package
Bulk
厂商
微芯片技术
Base Product Number
2N720
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation (Max)
500 mW
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Pd - Power Dissipation
500 mW
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Collector-Emitter Saturation Voltage
5 V
Unit Weight
0.026936 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Gain Bandwidth Product fT
-
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
Maximum DC Collector Current
500 mA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
系列
Military, MIL-PRF-19500/182
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
包装
Bulk
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
Transistors
技术
Si
极性
NPN
配置
Single
功率耗散
1.8
功率 - 最大
500 mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
80 V
最大集电极电流
500 mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
最大集极截止电流
10μA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
5V @ 15mA, 150mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
80 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
120 V
发射极基极电压 (VEBO)
7 V
连续集电极电流
500
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
无铅
含铅