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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.447268
10
¥11.74271
100
¥11.078025
500
¥10.450966
1000
¥9.859405
Microchip Technology JANTXV1N4114-1
- 收藏
- 对比
JANTXV1N4114-1
1610-JANTXV1N4114-1
二极管 - 齐纳 - 单
DO-204AH, DO-35, Axial
大陆
立即发货

DIODE ZENER 20V 500MW DO35
--最小包装量--
¥
总价: ¥
JANTXV1N4114-1详情
Microchip Technology JANTXV1N4114-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
包装/外壳
DO-204AH, DO-35, Axial
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
2
供应商器件包装
DO-35 (DO-204AH)
Base Product Number
1N4114
厂商
微芯片技术
Package
Bulk
Product Status
活跃
Impedance (Max) (Zzt)
150 Ohms
Unit Weight
0.005291 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Schedule B
8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/85
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
Military, MIL-PRF-19500/435
包装
Bulk
容差
±5%
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
Diodes & Rectifiers
最大功率耗散
480 mW
终端样式
Axial
元素配置
Single
反向泄漏电流@ Vr
10 nA @ 15.2 V
功率耗散
480 mW
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 200 mA
功率 - 最大
500 mW
最大反向漏电电流
10 nA
测试电流
250 µA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
20 V
齐纳电压
20 V
产品类别
齐纳二极管
电压允差
5 %
产品类别
齐纳二极管
长度
5.08 mm
直径
2.29 mm
辐射硬化
无
JANTXV1N4114-1拓展信息
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