Microchip Technology JANTXV1N6136US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SQ-MELF, B
表面安装
YES
供应商器件包装
SQ-MELF, B
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package
Bulk
Base Product Number
1N6136
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Package Description
HERMETIC SEALED, SURFACE MOUNT PACKAGE-2
Package Style
长式
Package Body Material
UNSPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Manufacturer Part Number
JANTXV1N6136US
Power Dissipation (Max)
1.5 W
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
SEMTECH CORP
Breakdown Voltage-Nom
180 V
Risk Rank
5.35
系列
Military, MIL-PRF-19500/516
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
应用
通用型
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
技术
ZENER
端子位置
END
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500/516
JESD-30代码
O-XELF-N2
资历状况
Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
跨压抑制二极管
箱体转运
ISOLATED
电源线保护
无
电压 - 击穿
171V
功率 - 脉冲峰值
500W
峰值脉冲电流(10/1000μs)
2A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
245.7V
电压 - 反向断态(典型值)
136.8V
双向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
136.8 V
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
500 W
击穿电压-最小值
162 V
最大箝位电压
245.7 V
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes