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'jantxv2n2219ap'
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 安装类型 | 包装/外壳 | 供应商器件包装 | 厂商 | 操作温度 | 系列 | 子类别 | 功率 - 最大 | 产品类别 | 晶体管类型 | 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce | 最大集极截止电流 | 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值） | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 频率转换 | 产品类别 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JANTXV2N2219AP | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-39 (TO-205AD) | Bulk | 活跃 | 800 mA | 1 | 微芯片技术 | Microchip | Microchip / Microsemi | N | -55°C ~ 200°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500/251 | Transistors | 800 mW | BJTs - Bipolar Transistors | NPN | 100 @ 150mA, 10V | 10nA | 1.6V @ 50mA, 500mA | 50 V | - | Bipolar Transistors - BJT |
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