Microchip Technology JANTXV2N3501UB/TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

供应商器件包装

UB

厂商

微芯片技术

Package

Tape & Reel (TR)

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

300 mA

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

20 at 300mA, 10 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

300 mA

DC Current Gain hFE Max

300 at 150 mA, 10 V

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

150 V

系列

Military, MIL-PRF-19500/366

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

500 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10μA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 15mA, 150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

150 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

150 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT