Microchip Technology JANTXV2N3635UB/TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

供应商器件包装

3-SMD

厂商

微芯片技术

Package

Tape & Reel (TR)

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

140 V

RoHS

N

DC Current Gain hFE Max

300

Brand

Microchip / Microsemi

Manufacturer

Microchip

Gain Bandwidth Product fT

-

Mounting Styles

SMD/SMT

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

600 mV

DC Collector/Base Gain hfe Min

55

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Transistor Polarity

PNP

系列

Military, MIL-PRF-19500/357

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

1.5 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V

最大集极截止电流

10μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

140 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

140 V

连续集电极电流

1 A

产品类别

Bipolar Transistors - BJT