Microchip Technology JANTXV2N3999

包装/外壳

TO-210AA, TO-59-4, Stud

安装类型

Chassis, Stud Mount

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-59

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

微芯片技术

Current-Collector (Ic) (Max)

10 A

Product Status

活跃

Package

Bulk

Base Product Number

2N3999

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Package Description

POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3

Package Style

POST/STUD MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTXV2N3999

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.21

Part Package Code

TO-111

系列

Military, MIL-PRF-19500/374

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

参考标准

MIL-19500/374

JESD-30代码

O-MUPM-X3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

2 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 1A, 2V

最大集极截止电流

10μA

JEDEC-95代码

TO-59

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

20

集电极-发射器电压-最大值

80 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT