Microchip Technology JANTXV2N6987

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

包装/外壳

14-DIP (0.300", 7.62mm)

安装类型

通孔

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

-

终端数量

14

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

Product Status

活跃

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Base Product Number

2N6987

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60 V

RoHS

Non-Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTXV2N6987

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

4

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.2

Part Package Code

DIP

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/558

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

MOSFETs

最大功率耗散

1.5 W

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

14

参考标准

MIL-19500/558D

JESD-30代码

R-XDIP-T14

资历状况

Qualified

配置

SEPARATE, 4 ELEMENTS

功率 - 最大

1.5W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

MOSFET

晶体管类型

4 PNP (Quad)

集电极发射器电压(VCEO)

1.6 V

最大集电极电流

600 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10μA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-116

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

集电极电流-最大值(IC)

0.6 A

最小直流增益（hFE）

50

集电极-发射器电压-最大值

60 V

产品类别

MOSFET