Microchip Technology MAP4KE39Ae3

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

DO-2024-2

底架

通孔

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

DO-204AL (DO-41)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

Details

Breakdown Voltage / V

37.1 V

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

400 W

Ipp - Peak Pulse Current

7.5 A

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

2.5 W

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Reverse Stand-off Voltage

33.3 V

Package

Bulk

Base Product Number

P4KE39

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MAP4KE39AE3

Power Dissipation (Max)

1.13 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.57

Part Package Code

DO-41

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Zener

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-PALF-W2

资历状况

不合格

工作电源电压

33.3 V

工作电压

33.3 V

极性

单向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

37.1V

功率 - 脉冲峰值

400W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

7.5A

最大反向漏电电流

1 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

53.9V

箝位电压

53.9 V

电压 - 反向断态（典型值）

33.3V

峰值脉冲电流

7.5 A

峰值脉冲功率

400 W

方向

单向

测试电流

1 mA

单向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

33.3 V

JEDEC-95代码

DO-204AL

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

400 W

单向通道数

1

击穿电压-最小值

37.1 V

击穿电压-最大值

41 V

最小击穿电压

37.1 V

Vf-正向电压

3.5 V