Microchip Technology MAPLAD30KP51CAe3

包装/外壳

PLAD-2

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

PLAD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

RoHS

Details

Breakdown Voltage / V

56.7 V

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

30 kW

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Ipp - Peak Pulse Current

366 A

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

2.5 W

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.070548 oz

Supplier Package

PLAD

Direction Type

Bi-Directional

Mounting

表面贴装

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD30

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

S-PSSO-G1

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MAPLAD30KP51CAE3

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Package Shape

SQUARE

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.6

Usage Level

Military grade

系列

MA

包装

Bulk

操作温度

-55 to 150 °C

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

哑光锡

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

S-PSSO-G1

资历状况

不合格

工作电源电压

51 V

工作电压

51 V

极性

双向

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

56.7V

功率 - 脉冲峰值

30000W (30kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

366A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

82.4V

箝位电压

82.4 V

电压 - 反向断态（典型值）

51V

测试电流

5 mA

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

51 V

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

30000 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

56.7 V

击穿电压-最大值

62.7 V

Vf-正向电压

4 V