Microchip Technology MAPLAD36KP30A

包装/外壳

PLAD-2

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

PLAD

RoHS

N

Breakdown Voltage / V

33.3 V

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

36 kW

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Ipp - Peak Pulse Current

738 A

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

2.5 W

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD36

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MAPLAD36KP30A

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.88

系列

MA

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

Reach合规守则

compliant

终端样式

SMD/SMT

工作电源电压

30 V

工作电压

30 V

极性

单向

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

33.3V

功率 - 脉冲峰值

36000W (36kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

738A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

48.8V

箝位电压

48.8 V

电压 - 反向断态（典型值）

30V

单向通道

1

电容@频率

-

Vf-正向电压

4 V