Microchip Technology MASMBJ110AE3

包装/外壳

DO-214AA, SMB

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

SMBJ (DO-214AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Product Status

活跃

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Base Product Number

SMBJ110

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Breakdown Voltage-Nom

128.5 V

Risk Rank

5.18

Part Package Code

DO-214AA

Package Description

R-PDSO-C2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MASMBJ110AE3

Power Dissipation (Max)

1.38 W

Breakdown Voltage / V

122 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Ipp - Peak Pulse Current

3.4 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

600 W

系列

Military, MIL-PRF-19500

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

瞬态抑制器

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-C2

资历状况

不合格

工作电压

110 V

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

122V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

3.4A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

177V

箝位电压

177 V

电压 - 反向断态（典型值）

110V

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

110 V

JEDEC-95代码

DO-214AA

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

击穿电压-最小值

122 V

最大箝位电压

177 V

击穿电压-最大值

135 V