Microchip Technology MASMBJ8.5A

包装/外壳

DO-214AA, SMB

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

SMBJ (DO-214AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

厂商

微芯片技术

Base Product Number

SMBJ8.5

Product Status

活跃

Package

Bulk

Breakdown Voltage / V

9.44 V

Pd - Power Dissipation

1.38 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Unit Weight

0.003527 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

41.7 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Part Package Code

DO-214AA

Risk Rank

5.5

Breakdown Voltage-Nom

9.92 V

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Package Shape

RECTANGULAR

Power Dissipation (Max)

1.38 W

Manufacturer Part Number

MASMBJ8.5A

Rohs Code

无

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Style

小概要

Package Description

R-PDSO-C2

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-C2

资历状况

不合格

工作电源电压

8.5 V

工作电压

8.5 V

极性

单向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

9.44V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

41.7A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

14.4V

箝位电压

14.4 V

电压 - 反向断态（典型值）

8.5V

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

8.5 V

JEDEC-95代码

DO-214AA

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

击穿电压-最小值

9.44 V

最大箝位电压

14.4 V

击穿电压-最大值

10.4 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes