Microchip Technology MASMLG6.0CAE3

包装/外壳

DO-215AB, SMC Gull Wing

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

SMLG (DO-215AB)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Base Product Number

SMLG6.0

厂商

微芯片技术

Package

Bulk

Product Status

活跃

Supplier Package

DO-215AB

Peak Pulse Power Dissipation

3000 W

Direction Type

Bi-Directional

Mounting

表面贴装

Breakdown Voltage / V

6.67 V

Pd - Power Dissipation

1.61 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Unit Weight

0.008818 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

291.3 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

3 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Package Description

R-PDSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MASMLG6.0CAE3

Power Dissipation (Max)

1.61 W

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.49

Part Package Code

DO-215AB

Usage Level

Military grade

系列

Military, MIL-PRF-19500

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-G2

资历状况

不合格

工作电源电压

6 V

工作电压

6 V

极性

双向

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

6.67V

功率 - 脉冲峰值

3000W (3kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

291.3A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

10.3V

箝位电压

10.3 V

电压 - 反向断态（典型值）

6V

测试电流

10 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

6 V

JEDEC-95代码

DO-215AB

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

3000 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

6.67 V

击穿电压-最大值

7.37 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes