Microchip Technology MCP14E4T-E/SN
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MCP14E4T-E/SN
1610-MCP14E4T-E/SN
PMIC - 栅极驱动器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8SOIC
--最小包装量--
MCP14E4T-E/SN详情
Microchip Technology MCP14E4T-E/SN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
9 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Driver Configuration
Low-Side
Logic voltage-VIL, VIH
0.8V 2.4V
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
665mW
电压 - 供电
4.5V~18V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
12V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MCP14E4
引脚数量
8
最大输出电流
4A
电源电流
750μA
功率耗散
665mW
输出电流
4A
最大电源电流
2mA
传播延迟
60 ns
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
60 ns
上升时间
15ns
下降时间(典型值)
18 ns
上升/下降时间(Typ)
15ns 18ns
接口IC类型
PUSH-PULL BASED MOSFET DRIVER
信道型
Independent
驱动器数量
2
接通时间
0.07 μs
输出峰值电流限制-名
4A
闸门类型
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
4A 4A
高边驱动器
NO
关断时间
0.07 μs
长度
4.9mm
座位高度(最大)
1.75mm
宽度
3.9mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MCP14E4T-E/SN拓展信息
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