Microchip Technology MPLAD36KP200CA

包装/外壳

PLAD-2

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

PLAD

RoHS

N

Breakdown Voltage / V

222 V

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

36 kW

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Ipp - Peak Pulse Current

112 A

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

2.5 W

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD36

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Moisture Sensitivity Levels

1

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MPLAD36KP200CA

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.88

系列

MPLAD

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

终端样式

SMD/SMT

工作电源电压

200 V

工作电压

200 V

极性

双向

通道数量

1 Channel

电源线保护

无

电压 - 击穿

222V

功率 - 脉冲峰值

36000W (36kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

112A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

322V

箝位电压

322 V

电压 - 反向断态（典型值）

200V

双向通道

1

电容@频率

-

Vf-正向电压

4 V