Microchip Technology MQ2N4859

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-18 (TO-206AA)

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package

Bulk

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30 V

Pd - Power Dissipation

360 mW

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Drain-Source Current at Vgs=0

20 mA

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Rds On - Drain-Source Resistance

25 Ohms

Maximum Drain Gate Voltage

30 V

Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage

30 V

Gate-Source Cutoff Voltage

10 VDC

RoHS

Compliant

系列

Military, MIL-PRF-19500/385

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

包装

Bulk

类型

JFET

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

元素配置

Single

功率 - 最大

360 mW

场效应管类型

N-Channel

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

18pF @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30 V

产品类别

JFETs

栅极至源极电压(Vgs)

-30 V

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

50 mA @ 15 V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

4 V @ 500 pA

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

30 V

电阻-RDS(On)

25 Ohms

产品类别

JFET

辐射硬化

无