Microchip Technology MRT100KP110AE3

包装/外壳

DO-204AR, Axial

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

Case 5A (DO-204AR)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package

Bulk

Base Product Number

MRT100KP110

Unit Weight

0.049384 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 5A

Operating Temperature-Min

-65 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MRT100KP110AE3

Power Dissipation (Max)

7 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.55

系列

Military, MIL-PRF-19500

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

哑光锡

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-PALF-W2

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

122V

功率 - 脉冲峰值

100000W (100kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

-

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

216V

电压 - 反向断态（典型值）

110V

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

110 V

JEDEC-95代码

DO-204AR

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

100000 W

击穿电压-最小值

122 V

击穿电压-最大值

135 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes