参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
表面安装
NO
供应商器件包装
D1P
二极管元件材料
碳化硅
终端数量
3
厂商
微芯片技术
Package
Box
Product Status
活跃
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)
200A (DC)
Base Product Number
MSCDC200
Vr - Reverse Voltage
700 V
Transistor Polarity
N-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
螺钉安装
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip Technology / Atmel
RoHS
Details
Package Description
MODULE-3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
UNSPECIFIED
Operating Temperature-Min
-40 °C
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MSCDC200KK70D1PAG
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Forward Voltage-Max (VF)
1.8 V
Risk Rank
5.74
系列
-
类型
Dual Silicon Carbide Schottky
应用
GENERAL PURPOSE
子类别
Discrete Semiconductor Modules
技术
SiC
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-XUFM-X3
配置
Dual
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
二极管类型
碳化硅肖特基
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.8 V @ 200 A
箱体转运
ISOLATED
工作温度 - 结点
-40°C ~ 175°C
输出电流-最大值
200 A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
700 V
产品类别
Discrete Semiconductor Modules
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
700 V
二极管配置
1 Pair Common Cathode
反向电流-最大值
800 µA
重复峰值反向电压
700
反向测试电压
700 V
反向恢复时间(trr)
0 ns
产品
Diode Power Modules
Vf-正向电压
1.5 V
产品类别
Discrete Semiconductor Modules