Microchip Technology MSMBG58CAe3

包装/外壳

DO-215AA-2

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

SMBG (DO-215AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

Details

Breakdown Voltage / V

64.4 V

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Ipp - Peak Pulse Current

6.4 A

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

1.38 W

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.003527 oz

Package

Bulk

Base Product Number

SMBG58

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

R-PDSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MSMBG58CAE3

Power Dissipation (Max)

1.38 W

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Breakdown Voltage-Nom

67.8 V

Risk Rank

5.57

Part Package Code

DO-215AA

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-G2

资历状况

不合格

工作电源电压

58 V

工作电压

58 V

极性

双向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

64.4V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

6.4A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

93.6V

箝位电压

93.6 V

电压 - 反向断态（典型值）

58V

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

58 V

JEDEC-95代码

DO-215AA

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

击穿电压-最小值

64.4 V

最大箝位电压

93.6 V

击穿电压-最大值

71.2 V