Microchip Technology MSMBJSAC6.0E3

包装/外壳

DO-214AA-2

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

SMBJ (DO-214AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

Details

Breakdown Voltage / V

7.9 V

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

500 W

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Cd - Diode Capacitance

30 pF

Ipp - Peak Pulse Current

41 A

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.003527 oz

Supplier Package

SMBJ

Peak Pulse Power Dissipation

500 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

表面贴装

Package

Bulk

Base Product Number

SMBJSAC6.0

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

R-PDSO-J2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MSMBJSAC6.0E3

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

2.05

Part Package Code

DO-214AA

Usage Level

Military grade

包装

Bulk

操作温度

-65 to 150 °C

系列

Military, MIL-PRF-19500

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-J2

资历状况

不合格

工作电压

75 V

极性

单向

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

7.9V

功率 - 脉冲峰值

500W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

41A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

11.2V

箝位电压

11.2 V

电压 - 反向断态（典型值）

6V

测试电流

1 mA

单向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

6 V

JEDEC-95代码

DO-214AA

电容@频率

30pF @ 1MHz

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

500 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

7.9 V

符合标准

符合RoHS标准