Microchip Technology MSMCJ30CAE3

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-214AB, SMC

表面安装

YES

供应商器件包装

DO-214AB (SMCJ)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Base Product Number

SMCJ30

Package

Bulk

Product Status

活跃

厂商

微芯片技术

Package Description

R-PDSO-J2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MSMCJ30CAE3

Power Dissipation (Max)

1.56 W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.53

Part Package Code

DO-214AB

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Ipp - Peak Pulse Current

31 A

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Breakdown Voltage / V

33.3 V

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-J2

资历状况

不合格

工作电压

30 V

极性

BIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

33.3V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

31A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

48.4V

箝位电压

48.4 V

电压 - 反向断态（典型值）

30V

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

30 V

JEDEC-95代码

DO-214AB

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

击穿电压-最小值

33.3 V

击穿电压-最大值

36.8 V