Microchip Technology MXLPLAD18KP60AE3
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MXLPLAD18KP60AE3
1610-MXLPLAD18KP60AE3
TVS - 二极管
PLAD-2
大陆
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ESD Suppressors / TVS Diodes 18kW Uni-Directional -55C to 150C
1最小包装量--
MXLPLAD18KP60AE3详情
Microchip Technology MXLPLAD18KP60AE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PLAD-2
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
PLAD
RoHS
Details
Breakdown Voltage / V
66.7 V
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
18 kW
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Ipp - Peak Pulse Current
186 A
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd - Power Dissipation
2.5 W
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Package
Bulk
Base Product Number
PLAD18
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
系列
MXL
包装
Bulk
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
类型
Zener
应用
通用型
终端样式
SMD/SMT
工作电源电压
60 V
工作电压
60 V
极性
单向
通道数量
1 Channel
电源线保护
无
电压 - 击穿
66.7V
功率 - 脉冲峰值
18000W (18kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
186A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
96.8V
箝位电压
96.8 V
电压 - 反向断态(典型值)
60V
单向通道
1
电容@频率
-
Vf-正向电压
2 V
MXLPLAD18KP60AE3拓展信息
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