MXLPLAD18KP60AE3
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Microchip Technology MXLPLAD18KP60AE3

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型号

MXLPLAD18KP60AE3

utmel 编号

1610-MXLPLAD18KP60AE3

商品类别

TVS - 二极管

封装

PLAD-2

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ESD Suppressors / TVS Diodes 18kW Uni-Directional -55C to 150C

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MXLPLAD18KP60AE3 Microchip Technology ESD Suppressors / TVS Diodes 18kW Uni-Directional -55C to 150C

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MXLPLAD18KP60AE3详情

Microchip Technology MXLPLAD18KP60AE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    PLAD-2

  • 安装类型

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    PLAD

  • RoHS

    Details

  • Breakdown Voltage / V

    66.7 V

  • Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

    18 kW

  • Vesd - Voltage ESD Contact

    -

  • Vesd - Voltage ESD Air Gap

    -

  • Ipp - Peak Pulse Current

    186 A

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Pd - Power Dissipation

    2.5 W

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    PLAD18

  • 厂商

    微芯片技术

  • Product Status

    活跃

  • 系列

    MXL

  • 包装

    Bulk

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 类型

    Zener

  • 应用

    通用型

  • 终端样式

    SMD/SMT

  • 工作电源电压

    60 V

  • 工作电压

    60 V

  • 极性

    单向

  • 通道数量

    1 Channel

  • 电源线保护

  • 电压 - 击穿

    66.7V

  • 功率 - 脉冲峰值

    18000W (18kW)

  • 峰值脉冲电流(10/1000μs)

    186A

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)

    96.8V

  • 箝位电压

    96.8 V

  • 电压 - 反向断态(典型值)

    60V

  • 单向通道

    1

  • 电容@频率

    -

  • Vf-正向电压

    2 V

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