Microchip Technology MXLPLAD6.5KP30Ae3

包装/外壳

PLAD-2

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

PLAD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

RoHS

Details

Breakdown Voltage / V

33.3 V

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

6.5 kW

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Ipp - Peak Pulse Current

135 A

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

2.5 W

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD6.5

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

S-PSSO-G1

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MXLPLAD6.5KP30AE3

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Package Shape

SQUARE

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.6

系列

MXL

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

哑光锡

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101; MIL-19500

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

S-PSSO-G1

工作电源电压

28 V

工作电压

30 V

极性

单向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

CATHODE

电源线保护

无

电压 - 击穿

33.3V

功率 - 脉冲峰值

6500W (6.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

135A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

48.4V

箝位电压

48.4 V

电压 - 反向断态（典型值）

30V

单向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

30 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

6500 W

击穿电压-最小值

33.3 V

击穿电压-最大值

36.8 V